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铁硅铝与间隙铁氧化比较
日期：2018-11-16 标签：2013 来源：铂科
铁硅铝和间隙铁氧体是两种常用的材质，在软饱和方面，间隙铁氧体必须在下降曲线的安全区进行设计。铁硅被设计在受控制的下降曲线范围中，这样就能够提供好的容错特性，特别是在高功率时候。
在磁通量比较方面：假设特定的50%下降设计点，铁硅铝(Kool Mμ)的磁通量是间隙铁氧体的2倍以上, 这使磁芯的尺寸可缩小35%，设计时可以把磁芯的尺寸缩小30%至35%。软饱和曲线使铁硅设计本身具有容错能力，而间隙铁氧体则没有。铁氧体磁能力随温度变化，而铁硅保持相对稳定。很多铁氧体供应商或者厂家会给出产品在25℃到100℃不同环境下材质的差异。由于铁硅铝的材质及结构和间隙铁氧体不同，随着温度改变，变化不会很大。
在边缘损耗方面：铁硅不会发生边缘损耗，而间隙铁氧体有很大的边缘损耗。铁芯的间隙部分随着温度的增加损耗会增加。铁硅铝(Kool Mμ)也有间隙，但是这是均匀的分布式间隙，因为这个形式，在高功率的应用上会更好。
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